国产55纳米相变存储技术发布0

核心提示：日前，宁波时代全芯科技有限公司正式发布中国自主研发的第一款具有自主知识产权的55纳米相变存储技术，为中国半导体存储厂商在云计算和大数据时代开辟了一条自主创“芯”之路，结束了中国芯片存储技术长期依靠进口，彻底打破了中国的“无芯”时代...

日前，宁波时代全芯科技有限公司正式发布中国自主研发的第一款具有自主知识产权的55纳米相变存储技术，为中国半导体存储厂商在云计算和大数据时代开辟了一条自主创“芯”之路，结束了中国芯片存储技术长期依靠进口，彻底打破了中国的“无芯”时代。发布会现场，宁波市政府相关部门的领导、宁波鄞州工业园区的领导、行业专家和教授以及客户代表、媒体记者约200人见证了55纳米相变存储技术的发布。

从静态随机存储技术（SRAM）到动态随机存储技术（DRAM）再到当前热门的闪存技术（Flash），人类对于存储性能的追求是无止境的。在云计算、大数据时代，数据的迅猛增长对存储的处理性能提出了更高的甚至近乎苛刻的要求。近几年才逐渐步入商品化的新一代存储技术—相变存储（PCM），以高性能著称，具有替代传统存储甚至闪存的能力，由此势必将引发存储市场的新一轮变革。

据悉，第一批商业化的PCM产品预计在今年内推出，而其主流产品，如替代传统硬盘的固态硬盘将于2014年推出。目前，全球只有三星、美光等少数几家国外厂商拥有商品化的相变存储器，而宁波时代全芯科技有限公司自主研发的55纳米相变存储技术让中国人第一次闯入了以前由外国厂商垄断的相变存储市场。

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